ON SEMICONDUCTOR NGTB40N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚
IGBT 分立,On Semiconductor
绝缘栅级双极性 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
### IGBT 分立,On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247
立创商城:
NGTB40N135IHRWG
欧时:
ON Semiconductor NGTB40N135IHRWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
贸泽:
IGBT Transistors 1350V/40A IGBT FSII TO-24
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 3-Pin TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NGTB40N135IHRWG IGBT Single Transistor, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
耗散功率 394 W
击穿电压集电极-发射极 1350 V
额定功率Max 394 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 394 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.25 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.4 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99