ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C09NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V
N 通道功率 MOSFET,30V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
立创商城:
NTMFS4C09NT1G
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C09NT1G, 52 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
贸泽:
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 52 A, 0.0046 ohm, DFN, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R
Allied Electronics:
NTMFS4C09NT1G N-channel MOSFET Transistor, 52 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL
安富利:
ONSNTMFS4C09NT1G
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C09NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V New
力源芯城:
30V,52A,5.8mΩ,单N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
通道数 1
针脚数 5
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25.5 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 16.4A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 1252pF @15VVds
额定功率Max 760 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 760mW Ta, 25.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-FL-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 SO-FL-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20