NTMFS4C09NT1G

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NTMFS4C09NT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C09NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN


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NTMFS4C09NT1G


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C09NT1G, 52 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装


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MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 52 A, 0.0046 ohm, DFN, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Allied Electronics:
NTMFS4C09NT1G N-channel MOSFET Transistor, 52 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL


安富利:
ONSNTMFS4C09NT1G


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# ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C09NT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V New


力源芯城:
30V,52A,5.8mΩ,单N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL


NTMFS4C09NT1G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 5

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25.5 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 16.4A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 1252pF @15VVds

额定功率Max 760 mW

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 760mW Ta, 25.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SO-FL-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.05 mm

封装 SO-FL-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买NTMFS4C09NT1G
型号: NTMFS4C09NT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C09NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V

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