IHLP6767GZER820M11参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHLP6767GZER820M11概述

Inductor Power Shielded Wirewound 82uH 20% 100kHz 5.5A 91.7mOhm DCR 6767 T/R

82 µH 屏蔽模制器 5.5 A 91.7 毫欧最大非标准

得捷:
FIXED IND 82UH 5.5A 91.7MOHM SMD

Allied Electronics:
IHLP6767GZ-11 WireWound SMDinductor w/ MetalCore, 82 uH +/-20%WireWound 5.5A Idc

Chip1Stop:
Inductor Power Shielded Wirewound 82uH 20% 100KHz 5.5A 91.7mOhm DCR 6767 T/R

IHLP6767GZER820M11中文资料参数规格

技术参数

额定电流 5.5 A

容差 ±20 %

电感 82 μH

自谐频率 2.6 MHz

电阻 87.3 mΩ

测试频率 100 kHz

电阻DC） ≤91.7 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 6767

外形尺寸

长度 17.15 mm

宽度 17.15 mm

高度 7 mm

封装 6767

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IHLP6767GZER820M11

型号： IHLP6767GZER820M11

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Inductor Power Shielded Wirewound 82uH 20% 100kHz 5.5A 91.7mOhm DCR 6767 T/R