IS42S32800B-7BL概述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90
SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 143MHz 5.5ns 90-LFBGA 8x13
得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90LFBGA
Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin LFBGA
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS42S32800B-7BL SDRAM, 256MBIT, 143MHZ, BGA-90
Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 90BGA
IS42S32800B-7BL中文资料参数规格
技术参数
频率 143 MHz
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 143MHz max
存取时间 7 ns
内存容量 32000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 LFBGA-90
外形尺寸
宽度 8 mm
封装 LFBGA-90
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
IS42S32800B-7BL引脚图与封装图 
在线购买IS42S32800B-7BL
型号： IS42S32800B-7BL
制造商：
Integrated Silicon SolutionISSI
描述：Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90