NSVMSB1218A-RT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NSVMSB1218A-RT1G概述

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SC-70 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

立创商城:
NSVMSB1218A-RT1G

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE AMPL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R

NSVMSB1218A-RT1G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NSVMSB1218A-RT1G

型号： NSVMSB1218A-RT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SC-70 T/R