INFINEON AUIRLR3636 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
汽车 N 通道功率 MOSFET,
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
AUIRLR3636 - 55V-60V N-CHANNEL A
立创商城:
AUIRLR3636
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 99A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 99A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Newark:
# INFINEON AUIRLR3636 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
额定功率 143 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0054 Ω
极性 N-CH
耗散功率 143 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 99A
上升时间 216 ns
输入电容Ciss 3779pF @50VVds
下降时间 69 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 143W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Automotive, 车用, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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