AUIRLR3636

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AUIRLR3636概述

INFINEON  AUIRLR3636  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V

汽车 N 通道功率 MOSFET,

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
AUIRLR3636 - 55V-60V N-CHANNEL A


立创商城:
AUIRLR3636


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 99A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 99A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Newark:
# INFINEON  AUIRLR3636  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK


AUIRLR3636中文资料参数规格
技术参数

额定功率 143 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0054 Ω

极性 N-CH

耗散功率 143 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 99A

上升时间 216 ns

输入电容Ciss 3779pF @50VVds

下降时间 69 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 143W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Automotive, 车用, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买AUIRLR3636
型号: AUIRLR3636
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  AUIRLR3636  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
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