AUIRLR3636和AUIRLR3636TRL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLR3636 AUIRLR3636TRL IRLR3636PBF

描述 INFINEON  AUIRLR3636  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 VDPAK N-CH 60V 99AINFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 143 W - 143 W

通道数 1 1 -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0054 Ω - 0.0068 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 143 W 143 W 143 W

阈值电压 1 V - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 99A 99A 99A

上升时间 216 ns 216 ns 216 ns

输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds)

下降时间 69 ns 69 ns 96 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 143W (Tc) 143000 mW 143W (Tc)

反向恢复时间 - - 27 ns

正向电压(Max) - - 1.3 V

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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