IRFI1010NPBF

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IRFI1010NPBF概述

INFINEON  IRFI1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


立创商城:
N沟道 55V 49A


得捷:
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


富昌:
单 N沟道 55 V 58 W 130 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220FPAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; 47W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IRFI1010NPBF  MOSFET, N-CH, 55V, 49A, TO-220FP-3


儒卓力:
**N-CH 55V 49A 12mOhm TO-220 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP


IRFI1010NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 47 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 58 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 49A

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

额定功率Max 58 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFI1010NPBF
型号: IRFI1010NPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFI1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新

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