INFINEON IRFI1010NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
立创商城:
N沟道 55V 49A
得捷:
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak
富昌:
单 N沟道 55 V 58 W 130 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220FPAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; 47W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON IRFI1010NPBF MOSFET, N-CH, 55V, 49A, TO-220FP-3
儒卓力:
**N-CH 55V 49A 12mOhm TO-220 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
额定功率 47 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 58 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 49A
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
额定功率Max 58 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.75 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99