NTB75N03-06

NTB75N03-06中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买NTB75N03-06
型号: NTB75N03-06
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET 75安培, 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK

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