NTB75N03-06
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NTB75N03-06
NTB75N03-06中文资料参数规格
技术参数
极性
N-CH
漏源极电压Vds
30 V
连续漏极电流Ids
75A
封装参数
封装
D2PAK
外形尺寸
封装
D2PAK
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
数据手册
在线购买NTB75N03-06
型号:
NTB75N03-06
制造商:
ON Semiconductor 安森美
描述:
功率MOSFET 75安培, 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
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