












HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
N沟道 200V 43A
贸泽:
MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IRFS38N20DTRLP MOSFET Transistor, N Channel, 44 A, 200 V, 54 mohm, 10 V, 5 V
儒卓力:
**N-CH 200V 44A 54mOhm TO263 **
额定电流 44.0 A
额定功率 320 W
通道数 1
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
阈值电压 5 V
输入电容 2900 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFS38N20DTRLP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS38N20DPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRFS38N20DTRLP和IRFS38N20DPBF的区别 |
IRFS38N20DTRRP 英飞凌 | 功能相似 | IRFS38N20DTRLP和IRFS38N20DTRRP的区别 |
IRFS38N20D 英飞凌 | 功能相似 | IRFS38N20DTRLP和IRFS38N20D的区别 |