对比图
型号 IRFS38N20DPBF IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRRP
描述 INFINEON IRFS38N20DPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 44A, D2-PAKHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 200V 38A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 38.0 A 44.0 A -
额定功率 320 W 320 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.054 Ω 0.054 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 320 W 320 W 3.8 W
产品系列 IRFS38N20D - -
阈值电压 5 V 5 V 5 V
输入电容 2.90 nF 2900 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 38A 38A
上升时间 95 ns 95 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W - -
下降时间 47 ns 47 ns 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -