NTD20N06L-1

NTD20N06L-1图片1
NTD20N06L-1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 20A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 IPAK

外形尺寸

封装 IPAK

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买NTD20N06L-1
型号: NTD20N06L-1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET 20安培, 60伏特,逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level

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