FET带过温和过流限制
N-Channel Power MOSFET, 42V,
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
贸泽:
MOSFET 42V 33A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 42V 33A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
NID5001NT4G N-channel MOSFET Transistor, 33 A, 42 V, 3-Pin DPAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 42V 33A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
自保护FET带过温和过流限制
DeviceMart:
MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK
Win Source:
MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK
额定电压DC 42.0 V
额定电流 33.0 A
输出接口数 1
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 64 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 42 V
漏源击穿电压 42.0 V
栅源击穿电压 ±14.0 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
输出电流Max 33 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NID5001NT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NCV8401ADTRKG 安森美 | 类似代替 | NID5001NT4G和NCV8401ADTRKG的区别 |
NID5001NT4 安森美 | 类似代替 | NID5001NT4G和NID5001NT4的区别 |