IRFB5615PBF

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IRFB5615PBF概述

INFINEON  IRFB5615PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V

数字音频 MOSFET,

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5615PBF, 35 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 150V 35A


贸泽:
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 150A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A Tube


Newark:
# INFINEON  IRFB5615PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 150V 35A 39mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB


IRFB5615PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 144 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 144 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 23.1 ns

输入电容Ciss 1750pF @50VVds

额定功率Max 144 W

下降时间 13.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 144W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Push-Pull, Class D Audio, 音频, Audio, Battery Operated Drive, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFB5615PBF
型号: IRFB5615PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFB5615PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V

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