INFINEON IRFB5615PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V
数字音频 MOSFET,
D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5615PBF, 35 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 150V 35A
贸泽:
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 150A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A Tube
Newark:
# INFINEON IRFB5615PBF MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 150V 35A 39mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
额定功率 144 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 144 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 23.1 ns
输入电容Ciss 1750pF @50VVds
额定功率Max 144 W
下降时间 13.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 144W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Push-Pull, Class D Audio, 音频, Audio, Battery Operated Drive, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99