BD434S

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BD434S概述

Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag

Bipolar BJT Transistor PNP 22V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126-3


得捷:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 22


立创商城:
PNP 32V 4A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bag


Verical:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bag


BD434S中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

耗散功率 36 W

击穿电压集电极-发射极 22 V

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 36000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD434S
型号: BD434S
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag
替代型号BD434S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD434S

ON Semiconductor 安森美

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