BD434S和BD434STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD434S BD434STU

描述 Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 BagFAIRCHILD小信号晶体管 FAIRCHILD Small Signal Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) - -22.0 V

额定电流 - -4.00 A

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 22 V 22 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V

额定功率(Max) 36 W 36 W

频率 3 MHz -

耗散功率 36 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 36000 mW -

增益频宽积 - -

封装 TO-126-3 TO-126-3

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bag Rail

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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