PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
立创商城:
NSS1C200LT1G
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100V LO VCESAT TRA PNP
艾睿:
If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP NSS1C200LT1G BJT, developed by ON Semiconductor, is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 710 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NSS1C200LT1G TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V
Win Source:
TRANS PNP 100V 2A SOT-23
频率 120 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 490 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 490 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 710 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99