NGB8204NT4G

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NGB8204NT4G概述

点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

IGBT - 430 V 18 A 115 W 表面贴装型 D²PAK


得捷:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts


NGB8204NT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 18.0 A

耗散功率 115000 mW

击穿电压集电极-发射极 430 V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGB8204NT4G
型号: NGB8204NT4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
替代型号NGB8204NT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NGB8204NT4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NGB8204ANT4G

安森美

完全替代

NGB8204NT4G和NGB8204ANT4G的区别

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