NGD18N40CLBT4

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NGD18N40CLBT4概述

点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

IGBT 430 V 15 A 115 W 表面贴装型 DPAK


得捷:
IGBT 430V 15A 115W DPAK


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


NGD18N40CLBT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 18.0 A

耗散功率 115 W

上升时间 4.50 ns

击穿电压集电极-发射极 430 V

额定功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGD18N40CLBT4
型号: NGD18N40CLBT4
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
替代型号NGD18N40CLBT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NGD18N40CLBT4

ON Semiconductor 安森美

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NGD18N40CLBT4G

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完全替代

NGD18N40CLBT4和NGD18N40CLBT4G的区别

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