NGD18N40CLBT4和NGD18N40CLBT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NGD18N40CLBT4 NGD18N40CLBT4G

描述 点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts点火IGBT 18安培, 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 400 V 400 V

额定电流 18.0 A 18.0 A

耗散功率 115 W 115 W

上升时间 4.50 ns 4.50 ns

击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V

额定功率(Max) 115 W 115 W

工作温度(Max) - 175 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台