INFINEON IRFS4115PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0103 ohm, 20 V, 5 V
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,
### 电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
### 同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
得捷:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 62 A, 0.0103 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 195A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
富昌:
单 N 沟道 150 V 375 W 77 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 195A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 99A; 375W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Newark:
# INFINEON IRFS4115PBF MOSFET Transistor, N Channel, 62 A, 150 V, 0.0103 ohm, 20 V, 5 V
儒卓力:
**N-CH 150V 99A 12,1mOhm TO263 **
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK
额定功率 375 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0103 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 195A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 5270pF @50VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Battery Operated Drive, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFS4115PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS4115TRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFS4115PBF和IRFS4115TRLPBF的区别 |
SUM75N15-18P-E3 威世 | 功能相似 | IRFS4115PBF和SUM75N15-18P-E3的区别 |