IRFS4115PBF和IRFS4115TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4115PBF IRFS4115TRLPBF SUM75N15-18P-E3

描述 INFINEON  IRFS4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0103 ohm, 20 V, 5 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。N沟道150 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

漏源极电阻 0.0103 Ω 0.0103 Ω 0.018 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 375 W 312.5 W

阈值电压 5 V 5 V 4.5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 195A 195A 75.0 A

上升时间 73 ns 73 ns 10 ns

下降时间 39 ns 39 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

额定功率 375 W - -

针脚数 3 3 -

输入电容(Ciss) 5270pF @50V(Vds) 5270pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 375 W 375 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 375000 mW 375W (Tc) -

输入电容 - 5270 pF -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 11.3 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon Silicon -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

ECCN代码 - EAR99 -

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