功率MOSFET -60 V， -12 ，单P沟道， TO- 220 Power MOSFET −60 V, −12 A, Single P−Channel, TO−220
通孔 P 通道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
贸泽:
MOSFET -60V -12A
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
通道数 1
漏源极电阻 156 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.4 W
阈值电压 4 V
输入电容 700 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 62.5W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTP2955 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTP2955G 安森美 | 类似代替 | NTP2955和NTP2955G的区别 |