对比图
型号 NTP2955 NTP2955G
描述 功率MOSFET -60 V， -12 ，单P沟道， TO- 220 Power MOSFET −60 V, −12 A, Single P−Channel, TO−220ON SEMICONDUCTOR NTP2955G 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 196 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V
额定电流 -12.0 A -12.0 A
通道数 1 1
漏源极电阻 156 mΩ 0.196 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.4 W 2.4 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 700 pF 700 pF
栅电荷 14.0 nC 14.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A
上升时间 41 ns 41 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.4 W 2.4 W
下降时间 45 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
针脚数 - 3
长度 10.28 mm 10.28 mm
宽度 4.82 mm 4.82 mm
高度 9.28 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99