TPC6503TE85L,F,M

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TPC6503TE85L,F,M概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns

- 双极 BJT - 单 NPN - 表面贴装型 VS-6(2.9x2.8)


得捷:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns


Win Source:
TRANS NPN 30V 1.5A VS-6 / Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 1.5 A 1.6 W Surface Mount VS-6 2.9x2.8


TPC6503TE85L,F,M中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TPC6503TE85L,F,M
型号: TPC6503TE85L,F,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns

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