














INFINEON IRFP1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
N沟道 55V 95A
贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 0.0053 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
Newark:
# INFINEON IRFP1405PBF MOSFET Transistor, N Channel, 160 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0053 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.29 mm
宽度 19.71 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 车用, Power Management, Automotive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFP1405PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFP3306PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFP1405PBF和IRFP3306PBF的区别 |
AUIRFP1405 英飞凌 | 类似代替 | IRFP1405PBF和AUIRFP1405的区别 |
IRFP1405 英飞凌 | 类似代替 | IRFP1405PBF和IRFP1405的区别 |