AUIRFP1405和IRFP1405PBF

对比图

型号 AUIRFP1405 IRFP1405PBF IRFP1405

描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFP1405PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 VTO-247AC N-CH 55V 160A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.0042 Ω 0.0053 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 310 W 310 W 310W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 160A 160A 160A

上升时间 160 ns 160 ns -

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 310 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)

下降时间 150 ns - -

长度 15.87 mm 15.29 mm -

宽度 5.31 mm 19.71 mm -

高度 20.7 mm 5.31 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -