NTMFS4833N

NTMFS4833N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 191A

封装参数

封装 SO-8FL

外形尺寸

封装 SO-8FL

其他

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买NTMFS4833N
型号: NTMFS4833N
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET的30 V , 191 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL

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