NTMFS5C612NLT1G

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NTMFS5C612NLT1G概述

60V,196A,1.8mOhm,单N沟道功率MOSFET

N-Channel 60V 36A Ta, 235A Tc 3.8W Ta, 167W Tc Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


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NTMFS5C612NLT1G


得捷:
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 5-Pin DFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 226A 5-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


力源芯城:
60V,196A,1.8mOhm,单N沟道功率MOSFET


NTMFS5C612NLT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.8 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 6660pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTMFS5C612NLT1G
型号: NTMFS5C612NLT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:60V,196A,1.8mOhm,单N沟道功率MOSFET

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