NTMFS5C612NLT3G

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NTMFS5C612NLT3G概述

NTMFS5C612NL: 单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,196A,1.5mΩ

表面贴装型 N 通道 60 V 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta),167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)


立创商城:
NTMFS5C612NLT3G


得捷:
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


NTMFS5C612NLT3G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.8W Ta, 167W Tc

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 6660pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTMFS5C612NLT3G
型号: NTMFS5C612NLT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NTMFS5C612NL: 单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,196A,1.5mΩ

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