PBSS5130T,215

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PBSS5130T,215概述

Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 200MHz 480mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
TRANS PNP 30V 1A TO236AB


立创商城:
PNP 30V 1A


欧时:
Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS BISS TAPE-7


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
TRANS PNP 30V 1A SOT23


PBSS5130T,215中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.48 W

针脚数 3

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 260 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V

额定功率Max 480 mW

直流电流增益hFE 450

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS5130T,215
型号: PBSS5130T,215
制造商: Nexperia 安世
描述:Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
替代型号PBSS5130T,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Nexperia 安世

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PBSS5130T,215和PBSS5130T的区别

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