






Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 200MHz 480mW Surface Mount TO-236AB
得捷:
TRANS PNP 30V 1A TO236AB
立创商城:
PNP 30V 1A
欧时:
Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS BISS TAPE-7
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
TRANS PNP 30V 1A SOT23
额定功率 0.48 W
针脚数 3
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 260 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 480 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5130T,215 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5130T 安世 | 功能相似 | PBSS5130T,215和PBSS5130T的区别 |