对比图
型号 PBSS5130T PBSS5130T,215
描述 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，NexperiaNexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-236 SOT-23-3
最小电流放大倍数(hFE) 201 260 @500mA, 2V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 480 mW 480 mW
额定功率 - 0.48 W
针脚数 - 3
耗散功率 - 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
最大电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 2V
额定功率(Max) - 480 mW
直流电流增益(hFE) - 450
极性 - -
集电极最大允许电流 - -
长度 3 mm 3 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 TO-236 SOT-23-3
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - -
工作温度 - 150℃ (TJ)