IRFB7434PBF

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IRFB7434PBF概述

INFINEON  IRFB7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

StrongIRFET™ 功率 MOSFET,

Infineon 的
.
*StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

欧时:
Infineon MOSFET IRFB7434PBF


立创商城:
N沟道 40V 195A


得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB


贸泽:
MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRFB7434PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 40V 317A 1,6mOhm TO220-3 **


力源芯城:
40V,1.6mΩ,317A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N CH 40V 195A TO220


IRFB7434PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 294 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.00125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 294 W

阈值电压 3 V

输入电容 10820 pF

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 317A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 10820pF @25VVds

额定功率Max 294 W

下降时间 68 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Full-Bridge, 消费电子产品, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Battery Operated Drive, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFB7434PBF
型号: IRFB7434PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFB7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IRFB7434PBF
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