INFINEON IRFB7434PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,
Infineon 的 欧时:
Infineon MOSFET IRFB7434PBF
立创商城:
N沟道 40V 195A
得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
贸泽:
MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRFB7434PBF MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 40V 317A 1,6mOhm TO220-3 **
力源芯城:
40V,1.6mΩ,317A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
额定功率 294 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.00125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 294 W
阈值电压 3 V
输入电容 10820 pF
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 317A
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 10820pF @25VVds
额定功率Max 294 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 294W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Full-Bridge, 消费电子产品, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Battery Operated Drive, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFB7434PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB7434GPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB7434PBF和IRFB7434GPBF的区别 |