INFINEON IRFB7437PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,
Infineon 的 立创商城:
N沟道 40V 195A
得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
欧时:
### StrongIRFET™ 功率 MOSFET,InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 40V 195A 2mOhm TO220-3 **
力源芯城:
40V,2mΩ,250A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
额定功率 230 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 250A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 7330pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 53 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Push-Pull, Battery Operated Drive, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, Power Management, Consume, Full-Bridge, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, Consumer Full-Bridge
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99