NTMFS4H013NFT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTMFS4H013NFT1G概述

NTMFS4H013NFT1G 编带

N-Channel 25V 43A Ta, 269A Tc 2.7W Ta, 104W Tc Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL

得捷:
MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN

立创商城:
N沟道 25V 43A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 43A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R

NTMFS4H013NFT1G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.7W Ta, 104W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 3923pF @12VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTMFS4H013NFT1G

型号： NTMFS4H013NFT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：NTMFS4H013NFT1G 编带