IRFS7734TRLPBF

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IRFS7734TRLPBF概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Benefits:

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Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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Fully characterized capacitance and avalanche SOA
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Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
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Lead-free, RoHS compliant
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StrongIRFET™

得捷:
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK


欧时:
MOSFET StrongIRFET N-Ch 75V 183A D2PAK


立创商城:
N沟道 75V 183A


贸泽:
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power


e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 183 A, 75 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 75V 183A 3,5mOhm TO263 **


IRFS7734TRLPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 290 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 183A

上升时间 123 ns

输入电容Ciss 10150pF @25VVds

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFS7734TRLPBF
型号: IRFS7734TRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IRFS7734TRLPBF
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IRFS7734TRLPBF和IRFS7734PBF的区别

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