单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Benefits:
得捷:
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
欧时:
MOSFET StrongIRFET N-Ch 75V 183A D2PAK
立创商城:
N沟道 75V 183A
贸泽:
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 183 A, 75 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 75V 183A 3,5mOhm TO263 **
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 183A
上升时间 123 ns
输入电容Ciss 10150pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFS7734TRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS7734PBF 英飞凌 | 完全替代 | IRFS7734TRLPBF和IRFS7734PBF的区别 |