对比图
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 3.5 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 290 W 290 W
阈值电压 3.7 V 3.7 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V
漏源击穿电压 - 75 V
连续漏极电流(Ids) 183A 183A
上升时间 123 ns 123 ns
输入电容(Ciss) 10150pF @25V(Vds) 10150pF @25V(Vds)
下降时间 100 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290W (Tc) 290W (Tc)
长度 10.67 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99