INFINEON IRL40S212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,
是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V
适用于电池供电系统
应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
立创商城:
IRL40S212
欧时:
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263AB, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 254A 3-Pin D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V
儒卓力:
**N-CH 40V 195A 1,5mOhm TO263 **
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 231 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 254A
上升时间 154 ns
输入电容Ciss 8320pF @25VVds
下降时间 84 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 231W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRL40S212 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
AUIRFS8409 英飞凌 | 类似代替 | IRL40S212和AUIRFS8409的区别 |