IRL40S212

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IRL40S212概述

INFINEON  IRL40S212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V

适用于电池供电系统

应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器


得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK


立创商城:
IRL40S212


欧时:
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263AB, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 254A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V


儒卓力:
**N-CH 40V 195A 1,5mOhm TO263 **


IRL40S212中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 231 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 254A

上升时间 154 ns

输入电容Ciss 8320pF @25VVds

下降时间 84 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 231W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRL40S212
型号: IRL40S212
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRL40S212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
替代型号IRL40S212
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRL40S212

Infineon 英飞凌

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AUIRFS8409

英飞凌

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