AUIRFS8409和IRL40S212

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFS8409 IRL40S212 AUIRFS8409TRL

描述 INFINEON  AUIRFS8409  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00097 ohm, 10 V, 3.9 VINFINEON  IRL40S212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新N沟道 40V 195A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 375 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.00097 Ω 0.0015 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 375 W 231 W 375 W

阈值电压 3.9 V 2.4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 409A 254A 409A

上升时间 105 ns 154 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 14240pF @25V(Vds) 8320pF @25V(Vds) 14240pF @25V(Vds)

下降时间 100 ns 84 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 231W (Tc) 375W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 40 V 40 V

长度 10.67 mm 10.67 mm 10 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.25 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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