NVMFS6H800NT1G

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NVMFS6H800NT1G概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 203 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 80 V 28A(Ta),203A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)


欧时:
TRENCH 8 80V NFET


得捷:
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN


立创商城:
NVMFS6H800NT1G


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 203 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN / N-Channel 80 V 28A Ta, 203A Tc 3.8W Ta, 200W Tc Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


NVMFS6H800NT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.0018 Ω

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 89 ns

输入电容Ciss 5530pF @40VVds

下降时间 85 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SO-8FL

外形尺寸

封装 SO-8FL

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 48V systems, Switching power supplies, Power switches High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVMFS6H800NT1G
型号: NVMFS6H800NT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 203 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V

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