IRFH8318TRPBF

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IRFH8318TRPBF概述

IRFH8318TRPBF 编带

表面贴装型 N 通道 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)


欧时:
Infineon IRFH8318TRPBF


立创商城:
N沟道 30V 27A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN


贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 27A; 59W; DirectFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN


IRFH8318TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 59 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.6 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 3180 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 3180pF @10VVds

额定功率Max 3.6 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.6W Ta, 59W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.83 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IRFH8318TRPBF
型号: IRFH8318TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IRFH8318TRPBF 编带
替代型号IRFH8318TRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFH8318TRPBF

Infineon 英飞凌

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