IRFH8318TRPBF 编带
表面贴装型 N 通道 27A(Ta),120A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) PQFN(5x6)
欧时:
Infineon IRFH8318TRPBF
立创商城:
N沟道 30V 27A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 27A; 59W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
额定功率 59 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.6 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 3180 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 3180pF @10VVds
额定功率Max 3.6 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6W Ta, 59W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.83 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFH8318TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH8318TR2PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRFH8318TRPBF和IRFH8318TR2PBF的区别 |