对比图
型号 IRFH8318TR2PBF IRFH8318TRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。IRFH8318TRPBF 编带
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 QFN-8 PowerTDFN-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0025 Ω 0.0025 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 3.6 W 3.6 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 27A 27A
上升时间 33 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 3180pF @10V(Vds) 3180pF @10V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 59W (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
额定功率 - 59 W
通道数 - 1
输入电容 - 3180 pF
额定功率(Max) - 3.6 W
长度 5.85 mm 6 mm
宽度 5 mm 5 mm
高度 1.17 mm 0.83 mm
封装 QFN-8 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 -