N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
立创商城:
IRFS7787TRLPBF
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
e络盟:
INFINEON IRFS7787TRLPBF MOSFET, N-CH, 75V, 76A, TO-263AB-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 76A; 125W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定功率 125 W
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 4020pF @25VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFS7787TRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS7787PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFS7787TRLPBF和IRFS7787PBF的区别 |