IRFS7787TRLPBF

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IRFS7787TRLPBF概述

N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK


立创商城:
IRFS7787TRLPBF


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


e络盟:
INFINEON  IRFS7787TRLPBF  MOSFET, N-CH, 75V, 76A, TO-263AB-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 76A; 125W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRFS7787TRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 W

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 76A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 4020pF @25VVds

下降时间 39 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFS7787TRLPBF
型号: IRFS7787TRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFS7787TRLPBF
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