对比图
型号 IRFS7787PBF IRFS7787TRLPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 125 W 125 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 76A 76A
上升时间 48 ns 48 ns
输入电容(Ciss) 4020pF @25V(Vds) 4020pF @25V(Vds)
下降时间 39 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125 W
额定功率 - 125 W
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17