2ED2108S06FXUMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2ED2108S06FXUMA1概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA

半桥栅极驱动器 IC 非反相 PG-DSO-8-53

欧时:
Infineon 2ED2108S06FXUMA1

得捷:
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA

2ED2108S06FXUMA1中文资料参数规格

封装参数

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

封装 PG-DSO-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买2ED2108S06FXUMA1

型号： 2ED2108S06FXUMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:700mA