70V5388S100BG8

70V5388S100BG8概述

IC SRAM 1.125M PARALLEL 272PBGA

SRAM - 四端口,同步 存储器 IC 1.125Mb(64K x 18) 并联 100 MHz 3.6 ns 272-PBGA(27x27)


得捷:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 272PBGA


70V5388S100BG8中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Renesas Electronics America Inc

系列 -

包装 卷带(TR)

Product Status 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 四端口,同步

存储容量 1.125Mb(64K x 18)

存储器接口 并联

时钟频率 100 MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 3.6 ns

电压 - 供电 3.15V ~ 3.45V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 272-BBGA

供应商器件封装 272-PBGA(27x27)

基本产品编号 70V5388

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买70V5388S100BG8
型号: 70V5388S100BG8
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IC SRAM 1.125M PARALLEL 272PBGA

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