场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220
Features:
• Dynamic dv/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
e络盟:
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220
Newark:
# NTE ELECTRONICS NTE2373 MOSFET Transistor, P Channel, -11 A, -200 V, 500 mohm, 10 V, 2 V
MASTER:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220
Electro Sonic:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 85412900951
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
NTE2373 NTE Electronics | 当前型号 | 当前型号 |
FQB12P20TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | NTE2373和FQB12P20TM的区别 |