NTE2373

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NTE2373概述

场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220

Features:

• Dynamic dv/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements


e络盟:
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220


Newark:
# NTE ELECTRONICS  NTE2373  MOSFET Transistor, P Channel, -11 A, -200 V, 500 mohm, 10 V, 2 V


MASTER:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220


Electro Sonic:
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin3+Tab TO-220


NTE2373中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 85412900951

数据手册

在线购买NTE2373
型号: NTE2373
制造商: NTE Electronics
描述:场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220
替代型号NTE2373
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTE2373

NTE Electronics

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