FQB12P20TM和NTE2373

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB12P20TM NTE2373 IRF9640STRLPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB12P20TM  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220 TO-263-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 470 mΩ 0.5 Ω 0.5 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.13 W 125 W 3 W

阈值电压 5 V 2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 11.5 mA 11.0 A -11.0 A

上升时间 195 ns 43 ns 43 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 38 ns 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 120W (Tc) 125000 mW 125 W

额定功率(Max) 3.13 W - 3 W

额定电压(DC) -200 V - -

额定电流 -11.5 A - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-263-3 TO-220 TO-263-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 800

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -

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