60V,12A,N沟道MOSFET
N-Channel 60V 4A Ta, 12A Tc 2.1W Ta, 20W Tc Through Hole TO-251A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-251A
力源芯城:
60V,12A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
极性 N-CH
耗散功率 2.1W Ta, 20W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 3.4 ns
输入电容Ciss 540pF @30VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 20W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AOI444 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
AOD444 万代半导体 | 功能相似 | AOI444和AOD444的区别 |