AOD444和AOI444

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOD444 AOI444 IRLR024NTRPBF

描述 60V,12A,N沟道MOSFET60V,12A,N沟道MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 2 W 2.1W (Ta), 20W (Tc) 45 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A 17.0 A

上升时间 3.4 ns 3.4 ns 74.0 ns

输入电容(Ciss) 540pF @30V(Vds) 540pF @30V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 20 W 2.1 W 45 W

下降时间 2 ns 2 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 20W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) -

额定功率 20 W - -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 17.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.065 Ω

产品系列 - - IRLR024N

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 480pF @25V

漏源击穿电压 - - 55 V

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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